同轴薄膜衰减器芯片 同轴薄膜衰减器芯片 同轴衰减器 固定衰减器 详细介绍 8同轴衰减芯片coaxial attenuator chips 8.1特性features 薄膜工艺制作的电阻网络衰减芯片thin film resistor network attenuator chip 电极结构tan/tiw/ni/au，金层厚度至少4um metallization type: tan/tiw/ni/au & 4 micron au thickness min. 频率高至26ghz，衰减范围1db～90db working frequency up to 26ghz，attenuation range from 1db to 90db 8.2运用applications 同轴固定衰减器coaxial fixed attenuator 大功率同轴固定衰减器high power coaxial fixed attenuator 8.3衰减芯片结构figuration 8.4选型指导selection guide 基片种类: 99.6%氧化铝、95%氮化铝、 substrate material: 99.6% al2o3 95% aln beo 厚度范围: 0.254mm、0.381mm、0.508mm、0.635mm、1mm及其它客户定制规格 substrate thickness range: 0.254mm、0.381mm、0.508mm、0.635mm、1mm & other custom required size 衰减值范围:1db to 90db attenuation range: 1db to 90db 衰减精度attenuation accuracy : 1db to 20db: +/- 0.5db 21db to 40db: +/- 1.0db 41db to 60db: +/- 2.0db 61db to 90db: +/- 3.0db 频率范围fre. range : dc to 12ghz; dc to 18ghz; dc to 26ghz 驻波比vswr : dc to 12ghz: 1.20max; 12 to 18ghz :1.25 max; 18ghz to 26ghz: 1.35 max 功率power rating: max 100瓦